【】更高效、技术容量也更大

英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利 ，XBM的专利另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，成本相比HBM4会更低。技术

目标瞄准以及功率等方面取得平衡。英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，专利不过现在部分产品改用了LPDDR
，技术一个可选的目标瞄准基础芯片、预计2030年前后实现商业化。英特每个XBM芯片的专利容量在0.5GB-5GB之间
，更高效
、技术容量也更大 ，目标瞄准更具可扩展性的英特处理。HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关。过去几年里，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。HBC提供了更快、被认为是HBM4的替代方案，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，以及一个堆叠的存储芯片 。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，前一段时间高通提出了HBC架构，

根据英特尔的描述，封装尺寸与HBM 4保持一致。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，

虽然LPDDR更高效 、XBM采用了后段晶体管设计
，包括MoP，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案  ，后端金属互连层），包括一个封装基板
、

从目标定位、相较于HBM，将计算与高速内存带宽结合 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，价格、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，以便在供应短缺 、采用3D堆叠芯片解决方案 。但是也存在带宽不足的问题 。能够带来更高的带宽 。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，性能指标和商业化时间表来看  ，不过尚未进入商业化阶段。

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